60周年
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成果類別 科專研發
產出年度 105
計畫名稱 高頻電漿強化化學氣相沉積製程設備開發
技術類別
搭配推廣專利
技術現況敘述 本技術主要目的在真空連續式生產設備設置一晶圓翻面機構，具有複數個傳動滾輪，及載片機構，可於真空環境將晶圓進行翻面及傳輸，藉由上述結構，將晶圓傳輸到單台製程腔體中可鍍製i/p/i/n等多重材料薄膜，或多台製程腔體分別獨立鍍製i、p、i、n及鍍製透明導電薄膜，此晶圓翻面機構具傳送及翻轉能力的軌道，可不出真空環境下作業達到連續生產的目的。
技術規格 1.可同時翻轉4片6吋晶圓 2.大面積時可擴充至64片6吋晶圓 3.晶圓傳載速度:0.6~1.2m/min 4.真空腔體終極壓力≦9.0x10-6Torr
可移轉技術名稱(中) 用於真空電漿製程中晶圓翻轉技術
可移轉技術名稱(英) Substrate Turning Apparatus For Use In a Vacuum Plasma Environment
可應用範圍 目前此技術主要應用於高效能太陽能電池領域，可提升太陽能電池光電轉換效率及量產能力，其晶圓翻轉技術尚可應用於半導體產業、面板產業中、太陽能電池產業中，對於TFT-LCD (液晶顯示器) 面板用之低溫多晶矽製程（Low Temperature Poly-silicon, LTPS），非晶矽製程、矽薄膜太陽電池之非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、氧化矽、氮化矽膜製程之鍍製，其應用範圍具有極大延展擴充性。
市場(產品/服務)潛力預估 用於真空電漿製程中晶圓翻轉技術可廣泛應用於真空製程設備中，例如連續式超高頻電漿輔助化學氣相沈積設備(In-Line VHF PECVD)，主要市場可應用在太陽能產業(矽薄膜、HIT、單多晶)；半導體產業(阻障層、鈍化層、絕緣層)之電漿輔助化學氣相薄膜沉積設備及真空蒸鍍設備。
所需之主要軟硬體設備 真空元件(真空計;電引入等)、真空測試儀器、機構設計軟體、機構模擬軟體
總聯絡窗口 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
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更新日期：108-03-18　/　維護單位：系統管理者
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