60周年
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成果類別 科專研發
產出年度 105
計畫名稱 高頻電漿強化化學氣相沉積製程設備開發
技術類別
搭配推廣專利
技術現況敘述 本開發技術主要是用於連續式生產異質接面太陽能電池設備中，可提供一載片平台、預熱腔、製程腔、晶圓翻轉腔，具高真空製程環境中進行異質接面太陽能p/i/n薄膜沉積及晶圓翻面動作，其超高頻製程腔具高真空能力，全程可抽離摻雜元素氣體，降低製程中粉塵污染，亦可在晶圓翻面的過程中保持潔淨，提高薄膜品質提升異質接面太陽能元件轉換效率。
技術規格 1.可鍍製4片6吋晶圓 2.基板尺寸:400mmx400mm 3.電場均勻性≧95% 4.製程壓力範圍:0.1~10Torr 5.功率密度:>14.8mW/cm2
可移轉技術名稱(中) 超高頻電漿矽基異質接面薄膜製造技術
可移轉技術名稱(英) Fabrication Technology of Silicon-based Heterojunction Thin Films
可應用範圍 超高頻電漿矽基異質接面薄膜製造技術主要關鍵設備為超高頻電漿輔助化學氣相沈積設備(VHF PECVD)，主要市場可應用在太陽能產業(矽薄膜、HIT、單多晶)；半導體產業(阻障層、鈍化層、絕緣層)之電漿輔助化學氣相薄膜沉積設備。
市場(產品/服務)潛力預估 目前此技術主要應用於高效能太陽能電池領域，可提升太陽能電池光電轉換效率，但此超高頻電漿矽基異質接面薄膜製造技術可廣泛應用於不同工業領域。如用於電漿輔助化學氣相沈積設備(PECVD)相關製程，如太陽能(a-Si、 HIT等製程)、半導體設備沉積製程、石墨烯、奈米薄膜等，可增加鍍膜之均勻度與沉積速率，協助廠商發展自主設備及開發差異化的製程設備產品。
所需之主要軟硬體設備 真空元件(高真空計;真空閥件等)、真空測試儀器、機構設計軟體、流場模擬軟體、高頻電磁模擬分析軟體
總聯絡窗口 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
VHF_PECVD

更新日期：108-03-18　/　維護單位：系統管理者
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