60周年
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成果類別 科專研發
產出年度 105
計畫名稱 多能隙電池產品效能驗證
技術類別
搭配推廣專利
技術現況敘述 單晶矽N型半導體金字塔結構粗糙化後，製作出金字塔型結構。但由於金字塔出現尖端，導致後續i-P/i-N薄膜沈積的步階覆蓋不佳。所以要使其尖端有圓潤化之效果。
技術規格 晶圓尺寸: 156 x 156 mm、Type: N-type、蝕刻粒徑：1~6μm、表面粗糙化平均反射率：<13%（400~1000 nm）、圓潤化曲率半徑~10μm。
可移轉技術名稱(中) 晶圓表面圓潤化蝕刻技術
可移轉技術名稱(英) Round Surface texturing for Wafer Surface
可應用範圍 光電產業/太陽能電池產品。
市場(產品/服務)潛力預估 使用N型單晶基板的矽晶異質接面太陽電池(HIT)不會有光誘發衰退(LID)以及電勢誘發衰退(PID)的現象，目前HIT太陽電池效率已突破24%效率(Panasonic)，未來可望突破25%，預估2018年後產量將明顯提升，成為下世代太陽電池之主流。
所需之主要軟硬體設備 溼式蝕刻化學清洗槽以及鹼性蝕刻液配方。
總聯絡窗口 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
圓潤化表面形貌圖

更新日期：108-03-18　/　維護單位：系統管理者
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