60周年
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成果類別 科專研發
產出年度 105
計畫名稱 低溫透明導電薄膜製程設備開發
技術類別 生技製藥技術
搭配推廣專利
技術現況敘述 本技術為反應電漿蒸鍍設備之核心關鍵模組所需，主要涉及真空腔體機構設計、直流電壓電控等高難度技術項目，國內尚無自製雛型。
技術規格 電流:50~200A 電壓:DC 100V
可移轉技術名稱(中) 反應式電漿離子源設計技術
可移轉技術名稱(英) Design Technology of Reactive Plasma Ion Source Generator
可應用範圍 舉凡一般常見的真空鍍膜製程皆為本技術可應用範圍。
市場(產品/服務)潛力預估 本技術因應太陽能電池計畫而衍生，主要用來建置於生產透明導電膜的製程設備，每條太陽能電池生產線需要一台，美台預期售價約NTD800萬元。
所需之主要軟硬體設備 真空環境、真空測試儀器、機構設計軟體、流場模擬軟體
總聯絡窗口 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
代表圖

更新日期：108-03-18　/　維護單位：系統管理者
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