60周年
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成果類別 科專研發
產出年度 104
計畫名稱 射頻關鍵模組技術與系統整合
技術類別
搭配推廣專利
技術現況敘述 化學氣相沉積設備(CVD)饋入的功率頻率提升至VHF (30～100 MHz) 以上時，在面積大於1m2以上的基板上鍍膜時將會產生駐波效應 (standing wave effect)。造成電極板上電場不均勻，致使電位分佈不均，進而使得電極板上電漿密度分佈不均，使鍍膜厚度分布不均。 透過射頻功率分配饋入技術可有效消除駐波效應 (standing wave effect)，提升電極版上電場均勻性，達到薄膜沉積厚度分布一致之效果。
技術規格 1.電漿電場均勻性≧95% 2.功率傳輸模組設計Return Loss≦-30dB 3.射頻操作頻率40.68MHz;60MHz
可移轉技術名稱(中) 射頻功率分配饋入技術
可移轉技術名稱(英) The RF Power divider and feed technology
可應用範圍 射頻功率分配饋入技術應用在電漿輔助化學氣相沈積設備(PECVD)，主要市場可應用在太陽能產業(矽薄膜、HIT、單多晶)；半導體產業(阻障層、鈍化層、絕緣層)之電漿輔助化學氣相薄膜沉積設備。
市場(產品/服務)潛力預估 目前此技術主要應用於化學氣相沈積設備(CVD)中，但此射頻功率分配饋入技術可廣泛應用於不同工業領域。如用於電漿輔助化學氣相沈積設備(PECVD)相關製程，如太陽能(a-Si、 HIT等製程)、半導體設備沉積製程、石墨烯、奈米薄膜等，可增加鍍膜之均勻度與沉積速率，協助廠商發展自主設備及塑造差異化的設備產品，建立良好品牌形象。
所需之主要軟硬體設備 高頻模擬分析軟體
總聯絡窗口 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
feed_Tech

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更新日期：108-03-18　/　維護單位：系統管理者
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