60周年
成果類別 科專研發
產出年度 100
計畫名稱 高效能鍍膜處理實驗室
技術類別 生技製藥技術
搭配推廣專利
技術現況敘述 熱電子源複合物理濺鍍系統,目前以高速類鑽碳鍍膜為技術開發標的,可較一般物理濺鍍提昇3倍以上之鍍膜速率。
技術規格 類鑽碳膜,鍍膜速率≧1.5μm/h,薄膜硬度≧Hv2000,摩擦係數≦0.15,附著力≧70N
可移轉技術名稱(中) 熱電子源輔助類鑽碳膜濺鍍技術
可移轉技術名稱(英) Hot Electron Assisted DLC Sputtering Technology
可應用範圍 精密加工用刀具與模具等,微型零組件用功能性鍍膜
市場(產品/服務)潛力預估 中等以上
所需之主要軟硬體設備 真空濺鍍機,熱電子源模組
總聯絡窗口 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail :judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期:108-03-18 / 維護單位:系統管理者
<