60周年
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專利名稱

晶舟裝置及電漿解離爐管系統
年度 114
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1140811~1331013
專利證號 I894012
摘要 本年度計畫規劃布局TOPCon太陽電池之製程設備專利名稱為「遠端電漿解離爐管系統」。本專利主要應用於ALD製程中，其設計方式透過晶舟結構將後端射頻功率導引至晶舟前端，主要在降低鍍膜區域的薄膜轟擊。藉由此晶舟結構設計，射頻功率被有效地轉移到晶舟前端，用於電漿解離過程，從而減少鍍膜區域因電漿轟擊而導致製程薄膜損壞。藉由此設計改善了在基板或半導體晶圓上沉積薄膜的性能，進而提升薄膜的品質與太陽能電池的光電轉換效率，達到了大面積批量式沉積薄膜的目的。
特色 本專利提出的遠端電漿解離系統，通過遠端電漿解離的方式，減少各層之間堆疊過程中上方所產生的問題，提升了薄膜堆疊的緻密性，從而提高了薄膜的品質和太陽能電池的光電轉換效率，實現了大面積晶圓薄膜沉積。然而，太陽能市場的關鍵在於成本控制，因此降低成本是一個必要的目標。本專利的創新之處在於，在降低成本的同時，依然能保持甚至提高效率，從而實現優良效益。
創造效益 本專利提出的遠端電漿解離爐管系統輔助原子層沉積裝置與方法，主要可沉積氧化矽層薄膜或是透明導電層（Top Electrode）透過採用高頻(40KHz)頻率將功率引入，本專利所研發晶舟裝置，將射頻功率輸入饋入區將電流輸入至晶舟並在電漿解離裝置之區域產生電漿解離製程物種，解離完成的氣氛通過流場沉積於鍍膜區，鍍膜區透過斷路裝置隔絕電流進入產生電漿，減少鍍膜區域因電漿對晶舟乘載機板上的薄膜轟擊，而導致製程薄膜損壞，進而提升薄膜品質與太陽能電池之光電轉換效率，達成大面積批量式輔助原子層沉積薄膜。
市場資訊 本發明開發的遠端電漿解離爐管系統，不僅可應用於半導體產業、面板產業和太陽能電池產業，還能在未來主流的太陽能電池製造技術TOPCon中實現優異的製造效率。解決TOPCon製程中薄膜均勻度和堆疊時電漿對於薄膜的損耗問題，並且具有廣泛的應用範圍和極大的擴展潛力。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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