60周年
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專利名稱

晶舟裝置及電漿輔助化學氣相沉積設備
年度 114
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1140401~1320924
專利證號 I879113
摘要 本發明主要提出一種在爐管式電漿輔助化學氣相沉積之晶舟功率均勻型裝置，具可增強電場均勻度、可大區域批量式及高均勻化薄膜沉積製作方法。藉由設計晶舟之電極板不同高低之導電率排序方式，將部分電極版導電率屬於較低，部分屬於導電率較高，可使得晶舟電場均勻度有效提升，降低離子轟擊，得到表面緻密結構高品質薄膜，進而提高新世代TOPCon太陽能光電轉換效率。解決使用晶舟造成阻抗分配不均進而形成薄膜不均問題。
特色 本發明所提出批量式晶舟功率均勻裝置，經由提高整體晶舟電場強度以及電場均勻度，降低薄膜均勻度問題，提升半導體薄膜緻密性，進而提升薄膜品質與太陽能電池之光電轉換效率，達到大面積批量式沉積薄膜。而太陽能市場成本是決定性的關鍵因素，是以追求成本的下降是必要的目標，而降低成本的過程卻能保持高效不變甚而提效，是本專利的創新優化效益。
創造效益 本專利提出之批量式晶舟功率均勻裝置主要可沉積出均勻之薄膜，藉由設計晶舟之不同高低導電率，提高整體晶舟電場強度以及電場均勻度，使晶舟之阻抗分配均勻，並降低製程後之薄膜均勻度問題，提升在基板或半導體晶圓上沉積薄膜的緻密性，進而提升薄膜品質與太陽能電池之光電轉換效率，達到大面積批量式沉積薄膜。
市場資訊 本發明所開發之爐管式電漿輔助化學氣相沉積之晶舟功率均勻型裝置，設備尚可應用於半導體產業、面板產業、太陽能電池產業中，對於未來大面積批量式之製程，可解決薄膜均勻度問題，其應用範圍具有極大延展擴充性。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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