60周年
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專利名稱

電漿輔助沉積裝置、爐管式電漿輔助原子層沉積裝置及太陽能電池的製造方
年度 114
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1140301~1311107
專利證號 I874840
摘要 本發明主要目的在提出一種在爐管式電漿輔助原子層沉積裝置具可降低離子轟擊及藉由此優點達到可大區域批量式、高均勻化薄膜沉積製作方法。藉由射頻功率饋入石墨晶舟內之電極板，降低離子轟擊對薄膜之影響，可以得到表面緻密結構高品質薄膜，進而提高新世代TOPCon太陽能光電轉換效率。
特色 PEALD機台完成穿隧氧化層製備，達成自主化開發，具有片內均勻性小於3%，電池效率提升至24.3%藉以驗證該設備之製程能力，但設備成本與國外機台相較可大幅下降30%，電池電性規格Voc預計提高3mV，電流提高0.5mA/cm2，將更具市場競爭力。太陽能市場成本是決定性的關鍵因素，是以追求成本的下降是必要的目標，而降本的過程卻能保持高效不變甚而提效，是本專利的創新優化效益。
創造效益 本發明所開發的電漿輔助原子層沉積裝置及多點引入設計裝置，以降低點燃電漿所需的功率，及增強電極板上的電場強度，可使大範圍(>1000mm)石墨晶舟電極板上之電場強度達到高均值性，通入反應氣體後，形成電漿態氣體充滿兩電極板間之反應腔室中進行原子層沉積反應，解決傳統使用低頻(40KHz)造成薄膜離子轟擊進而形成薄膜缺陷，採用本發明之多點饋入裝置於石墨晶舟上可以降低離子轟擊並可侷限成一均勻電漿場，大幅提升鍍膜均勻度及被鍍基板數量，降低製造之成本。
市場資訊 本發明所開發之電漿輔助原子層沉積裝置PEALD設備尚可應用於半導體產業、面板產業中、太陽能電池產業中，對於TFT-LCD (液晶顯示器) 面板用之低溫多晶矽製程（Low Temperature Poly-silicon, LTPS），非晶矽製程、矽薄膜太陽電池之非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、氧化矽、氮化矽膜製程、金屬氧化物製程之鍍製，其應用範圍具有極大延展擴充性。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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