60周年
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專利名稱

形成半導體結構之方法及半導體結構
年度 109
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1091001~1280829
專利證號 I706576
摘要 一種形成半導體結構之方法，包含：提供半導體基板；以及使用射頻電漿設備對半導體基板進行表面處理，以在半導體基板的一側形成鈍化層。
特色 本發明所開發之鈍化層製程方法可改善現行主流太陽能產品PERC元件，可望提升太陽能電池之轉換效率達23%以上，增加產品競爭力與售價。
創造效益 本發明之優點在於此鈍化層製程技術是利用乾式氧電漿製程製作而成，不僅可解決矽基太陽能電池晶圓介面缺陷之問題，提昇太陽能電池之轉換效率。並且此製程技術之薄膜均勻度高，適合於大量生產製程中，達到產業之效益。
市場資訊 EnergyTrend分析師曹君如表示，2016年是全球太陽能市場成長幅度最大的一年，年增率達42.5%；2017年則是全球市場首度達到100GW大關的一年，年增率也有26%之多，中國的需求持續暴漲，是這兩年全球市場需求大幅度成長的主因。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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