60周年
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專利名稱

超高頻反應式電漿薄膜製造設備及薄膜沉積方法
年度 109
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1090501~1271126
專利證號 I692538
摘要 本發明主要是用於反應式電漿離子薄膜沉積裝置中，當進行鍍膜沉積製程時，藉由超高頻電漿源連結靶材基座與鍍膜基板基座，降低其溫度效應，消除因電漿電流值亦隨電漿點燃時間越久，因電漿溫度上升靶材消耗過快，不易控制靶材消耗率之現象，而影響鍍膜品質;又因電漿溫度上升造成薄膜熱累積效應，對矽基異質接面薄膜形成破壞，產生缺陷，影響矽基異質接面太陽能光電轉換效率。藉由本專利之技術特徵，使反應式電漿離子薄膜沉積裝置更適宜與連續式生產設備進行整合，尤其是矽基異質接面太陽電池產線。
特色 據國際半導體設備材料產業協會(SEMI)發表的半導體設備資本支出年中預測報告預估，2016年全球半導體設備產值約412.4億美元。其中台灣銷售金額為12.23億美元，而韓國76.9億美元則是第 2 年排名第二，中國則以 32% 的成長率排名第三，由於平板電腦及智慧手機等行動裝置產品需求強勁，帶動半導體設備採購需求持續增加，預期2017年全球半導體設備產值可望攀高至494億美元，評估2017年的台灣半導體設備市場就佔127.3億美元。所以能將矽基異質接面太陽能之透明導電薄膜製程設備國產化亦能減少台灣相關產業的設備成本花費。
創造效益 調整超高頻功率產生系統功率及頻率，藉以控制基板溫度及靶材模組之溫度，因超高頻輔助而可維持電漿密度，降低直流電源供應器使用功率至三分之二以下，因此得以降低靶材模組溫度與基板溫度。本專利之一優點為解決因有電漿電流值亦隨電漿點燃時間越久，因電漿溫度上升靶材消耗過快，不易控制靶材消耗率，影響透明導電膜鍍膜品質之問題。另一優點為，可解決因電漿溫度上升造成薄膜熱累積效應，對矽基異質接面薄膜形成破壞，產生缺陷，影響矽基異質接面太陽能光電轉換效率。
市場資訊 據國際半導體設備材料產業協會(SEMI)發表的半導體設備資本支出年中預測報告預估，2016年全球半導體設備產值約412.4億美元。其中台灣銷售金額為12.23億美元，而韓國76.9億美元則是第 2 年排名第二，中國則以 32% 的成長率排名第三，由於平板電腦及智慧手機等行動裝置產品需求強勁，帶動半導體設備採購需求持續增加，預期2017年全球半導體設備產值可望攀高至494億美元，評估2017年的台灣半導體設備市場就佔127.3億美元。所以能將矽基異質接面太陽能之透明導電薄膜製程設備國產化亦能減少台灣相關產業的設備成本花費。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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