60周年
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專利名稱

電漿輔助原子層沉積裝置
年度 109
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1090211~1271122
專利證號 I684669
摘要  本發明主要目的在提出一種電漿輔助原子層沉積裝置具可降低離子轟擊及藉由此優點達到可批量式製作方法。藉由電磁屏蔽裝置降低離子轟擊對薄膜之影響，可以得到表面緻密結構高品質薄膜，進而提高太陽能光電轉換效率。本發明所開發的電漿輔助原子層沉積裝置及電磁屏蔽裝置，可使電漿態氣體充滿於相對高的反應腔室中進行原子層沉積反應，同時間可以降低離子轟擊並可侷限成一均勻電漿場，降低傳統方式反應腔內之污染及可大幅提升被鍍基板數量，降低製造之成本。
特色 據國際半導體設備材料產業協會(SEMI)發表的半導體設備資本支出年中預測報告預估，2016年全球半導體設備產值約412.4億美元。其中台灣銷售金額為12.23億美元，而韓國76.9億美元則是第 2 年排名第二，中國則以 32% 的成長率排名第三，由於平板電腦及智慧手機等行動裝置產品需求強勁，帶動半導體設備採購需求持續增加，預期2017年全球半導體設備產值可望攀高至494億美元，評估2017年的台灣半導體設備市場就佔127.3億美元。所以能將矽基異質接面太陽能之矽薄膜製程設備國產化亦能減少台灣相關產業的設備成本花費。
創造效益 本專利提出之批量式電漿輔助原子層沉積裝置與方法主要是可沉積相對薄(<10 nm)之金屬氧化物薄膜，透過電磁屏蔽裝置降低電漿離子對基板轟擊能量，可提升原子層沉積在基板或半導體晶圓上沉積薄膜的緻密性，進而提升薄膜品質與太陽能電池之光電轉換效率，並藉由無須使用電感式電漿源之方法達到可實施於高沉膜距離及大面積批量式沉積金屬氧化物薄膜。
市場資訊 根本發明所開發之電漿輔助原子層沉積裝置PEALD設備尚可應用於半導體產業、面板產業中、太陽能電池產業中，對於TFT-LCD (液晶顯示器) 面板用之低溫多晶矽製程（Low Temperature Poly-silicon, LTPS），非晶矽製程、矽薄膜太陽電池之非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、氧化矽、氮化矽膜製程、金屬氧化物製程之鍍製，其應用範圍具有極大延展擴充性。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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