專利名稱

化學氣相沉積設備及用於該設備的方法和功率補償模塊

年度 111
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華人民共和國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1071204~1271204
專利證號 5266872
摘要 本專利之主要目的在提供一種快速穩定電漿之方法及設備,其包含:一電漿真空腔體、一射頻訊號產生器及一功率補償控制模組。
特色 本專利所揭示之標的物除了可應用於薄膜太陽能電池鍍膜製程外,亦可應用於液晶顯示器之低溫多晶矽鍍膜製程、半導體電晶體製程。且電漿技術亦是半導體製程中一個關鍵的中心技術,舉凡各種會應用到電漿之技術,都可利用本發明所接露之技術來達到最佳化製程控制之目的。
創造效益 1. 可精確控制製程時間,扣除電漿態的暫態時間。
2. 該電漿真空腔體中之電漿阻抗之實部阻抗及虛部阻抗可於5秒內達到平均阻抗1內穩定。
市場資訊 目前國外僅針對電漿穩定系統進行改善,對於該電漿態的暫態時間之缺點控制技術尚未掌握。
聯絡人 黃偉咸 電話 07-3513121分機 2365 
E-mail:vincent@mail.mirdc.org.tw
更新日期:106-02-15 / 維護單位:系統管理者
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