60周年
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專利名稱

化學氣相沉積設備、用於化學氣相沉積設備之方法及非暫態電腦可讀取媒體
年度 110
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1100221~1291119
專利證號 I719361
摘要 本專利之主要目的在提供一種快速穩定電漿之方法及設備，其包含：一電漿真空腔體、一射頻訊號產生器及一功率補償控制模組。
特色 本專利所揭示之標的物除了可應用於薄膜太陽能電池鍍膜製程外，亦可應用於液晶顯示器之低溫多晶矽鍍膜製程、半導體電晶體製程。且電漿技術亦是半導體製程中一個關鍵的中心技術，舉凡各種會應用到電漿之技術，都可利用本發明所接露之技術來達到最佳化製程控制之目的。
創造效益 1. 可精確控制製程時間，扣除電漿態的暫態時間。
2. 該電漿真空腔體中之電漿阻抗之實部阻抗及虛部阻抗可於5秒內達到平均阻抗1內穩定。
市場資訊 目前國外僅針對電漿穩定系統進行改善，對於該電漿態的暫態時間之缺點控制技術尚未掌握。
聯絡人 黃偉咸 電話 07-3513121分機 2365 
E-mail：vincent@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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