60周年
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專利名稱

形成半導體結構之方法
年度 109
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1090701~1271127
專利證號 I698029
摘要 本發明之穿隧鈍化層薄膜係可增加矽基太陽能電池之開路電壓及減少漏電流，藉由穿隧鈍化層可篩選載子種類且與矽基板間形成低介面缺陷密度，從而導入較高載子壽命週期，實現高效太陽能電池，並同時揭示生產此穿隧鈍化層之製程方法。
特色 本發明所開發之穿隧鈍化層製程方法可改善現行主流太陽能產品PERC元件，可望提升太陽能電池之轉換效率達23%以上，增加產品競爭力與售價。
創造效益 本發明之優點在於此穿隧鈍化層製程技術是利用乾式氧電漿製程製作而成，不僅可解決矽基太陽能電池晶圓介面缺陷之問題，提昇太陽能電池之轉換效率。並且此製程技術之薄膜均勻度高，適合於大量生產製程中，達到產業之效益。
市場資訊 中國大陸太陽能市場在2017年持續爆發性成長，推升全年度全球太陽能市場規模首度突破100GW大關。TrendForce綠能研究（EnergyTrend）預估，2018年需求將進一步提高，上看106 GW，但各區域市場的需求比例將有所改變。根據EnergyTrend最新金級報告，中國2017年的太陽能併網量為52.83GW，為全球之冠，美國以12GW居次。而日本2017年併網量預計僅約6.09GW，使印度將以9.26GW的併網量取代日本成為全球第三大。在中國的帶動下，整個亞太地區2017年全球太陽能市占率將達72%，為史上最高。
EnergyTrend分析師曹君如表示，2016年是全球太陽能市場成長幅度最大的一年，年增率達42.5%；2017年則是全球市場首度達到100GW大關的一年，年增率也有26%之多，中國的需求持續暴漲，是這兩年全球市場需求大幅度成長的主因。
聯絡人 黃偉咸 電話 07-3513121分機 2365 
E-mail：vincent@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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