60周年
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專利名稱

矽基疊層的形成方法及矽基太陽能電池的製造方法
年度 109
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1090421~1271119
專利證號 I692114
摘要 本發明之微波製程係可增加矽基太陽能電池之開路電壓，藉由鈍化層與基板間形成低介面缺陷密度(?1 x 1011 cm-2)，從而導入較高載子壽命週期(?1200 μs)，而可實現開路電壓之提高，並同時揭示生產此鈍化層之製程方法。採用微波處理於鍍膜後進行處理，降低介面缺陷密度反應在載子生命週期上，藉以獲得理論轉換效率可?21%之電池結構。
特色 本發明所開發之光電元件微波製程方法除了應用於太陽能產業之外，尚可應用於半導體產業、面板產業中，對於非晶矽、微晶矽、氧化矽、氮化矽、氧化鋁膜製程之鍍製，其應用範圍具有極大延展擴充性。
創造效益 本發明之優點在於此微波製程技術可解決矽基太陽能電池晶圓介面缺陷之問題，進而穩定薄膜載子壽命，提昇太陽能電池之轉換效率。相較於傳統退火製程可大量減少製程時間，達到快速生產之效益。
市場資訊 中國大陸太陽能市場在2017年持續爆發性成長，推升全年度全球太陽能市場規模首度突破100GW大關。TrendForce綠能研究預估，2018年需求將進一步提高，上看106GW。在中國的帶動下，整個亞太地區2017年全球太陽能市占率將達72%，為史上最高。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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