60周年
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專利名稱

矽基疊層的形成方法及矽基異質接面太陽能電池的製造方法
年度 108
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1080111~1261130
專利證號 I647327
摘要 本發明之光電元件係減少開路電壓之降低，藉由鈍化層與基板間形成低介面缺陷密度(?3 x 1011 cm-2)，從而導入較高載子壽命週期(?1200 μs)，而可實現開路電壓之提高，並同時揭示生產此鈍化層之製程方法。採用氫電漿處理於鍍膜前後進行處理，特別是採用VHF電漿頻率進行處理，所降低之介面缺陷密度反應在載子生命週期上，藉以獲得理論轉換效率可?21%之電池結構。
特色 據國際半導體設備材料產業協會(SEMI)發表的半導體設備資本支出年中預測報告預估，2016年全球半導體設備產值約412.4億美元。其中台灣銷售金額為12.23億美元，而韓國76.9億美元則是第 2 年排名第二，中國則以 32% 的成長率排名第三，由於平板電腦及智慧手機等行動裝置產品需求強勁，帶動半導體設備採購需求持續增加，預期2017年全球半導體設備產值可望攀高至494億美元，評估2017年的台灣半導體設備市場就佔127.3億美元。所以能將矽基異質接面太陽能之矽薄膜製程設備國產化亦能減少台灣相關產業的設備成本花費。
創造效益 採用氫電漿處理於鍍膜前後進行處理，特別是採用VHF電漿頻率進行處理，所降低之介面缺陷密度反應在載子生命週期上，藉以獲得較高的太陽能元件效率。
市場資訊 本發明所開發之光電元件製程方法尚可應用於半導體產業、面板產業中、太陽能電池產業中，對於TFT-LCD (液晶顯示器) 面板用之低溫多晶矽製程（Low Temperature Poly-silicon, LTPS），非晶矽製程、矽薄膜太陽電池之非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、氧化矽、氮化矽膜製程之鍍製，其應用範圍具有極大延展擴充性。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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