60周年
:::
專利名稱

電漿沉積裝置及薄膜沉積方法
年度 108
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1080401~1261130
專利證號 I655315
摘要 本發明主要是用於反應式電漿離子薄膜沉積裝置中，當進行鍍膜沉積製程時，藉由電漿源能量採脈衝調變方式，提升薄膜鍍率，降低薄膜熱效應影響，本發明反應式電漿離子沉積，配合脈衝式調變可有效穩定控制電漿阻抗變異，提高鍍膜之均勻性分佈，可使用於單電漿束蒸鍍方法或複數個電漿束蒸鍍方式達到高鍍率，提高單位生產薄膜速度，並亦能在鍍膜時有效降低薄膜熱累積效應，提升透明導電膜薄膜特性品質。
特色 據國際半導體設備材料產業協會(SEMI)發表的半導體設備資本支出年中預測報告預估，2016年全球半導體設備產值約412.4億美元。其中台灣銷售金額為12.23億美元，而韓國76.9億美元則是第 2 年排名第二，中國則以 32% 的成長率排名第三，由於平板電腦及智慧手機等行動裝置產品需求強勁，帶動半導體設備採購需求持續增加，預期2017年全球半導體設備產值可望攀高至494億美元，評估2017年的台灣半導體設備市場就佔127.3億美元。所以能將矽基異質接面太陽能之透明導電薄膜製程設備國產化亦能減少台灣相關產業的設備成本花費。
創造效益 本發明之優點在於反應式電漿離子薄膜沉積過程中，藉由直流功率輸出器採用脈衝式調變方法，來進行製程中離子電漿源能量之控制，進而穩定電漿阻抗、電漿溫度、電漿電流，爾電漿電流可穩定控制在±5％時，
此時成膜均勻性已可被掌握，成膜後的品質亦會同時受到提升，包含透明導電膜品質(如導電度、穿透度)等，皆會獲得大幅改善。
市場資訊 根本發明所開發之一種脈衝式薄膜製造方法尚可應用於半導體產業、面板產業中、太陽能電池產業中，對於TFT-LCD (液晶顯示器) 面板用之低溫多晶矽製程（Low Temperature Poly-silicon, LTPS），透明導電膜、非晶矽製程、矽薄膜太陽電池之非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、氧化矽、氮化矽膜製程之鍍製，其應用範圍具有極大延展擴充性。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
<