60周年
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專利名稱

多晶矽層的製造方法、異質接面太陽能電池及其製造方法
年度 108
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1080521~1261130
專利證號 I660075
摘要 在模擬分析當中，具有多能隙協助吸收，將有利於太陽光能之利用，本發明的目的在於不需多添購額外的製作非晶矽的機台，以及黃光、微影製程，來使得低溫多晶矽具有良好的電性與穩定性，為增加低溫多晶矽之結晶尺寸以形成高效能之薄膜，本發明所提供之應用於高效能HIT之低溫多晶矽退火結構及其方法，係於玻璃基板預定形成超高頻微晶矽膜，使微晶矽規律成型於主動區域位置，在形成一非晶矽薄膜並使用準分子雷射退火，使鍍有非晶矽薄膜的區域與預定微晶矽區域產生溫度梯度，使熔融的非晶矽膜由溫度低的微晶矽上方區域開始成核。
特色 本專利所揭示之標的物可應用於半導體、太陽能電池或是其他功能性鍍膜之製程，提高光電轉換效率、降低設備投資成本。
創造效益 由於非晶矽膜區域的溫度較高使非晶矽膜能有足夠的時間有方向性的結晶以形成較佳的結晶結構。本發明之技術可實現並可有效提高光電元件的效率，應用範圍廣泛，未來市場大，並可將此技術應用在超高轉換效率異質接面電池相關產業，可整合入原有之製程設備中，非常適合國內終端製造廠使用。
市場資訊 國內終端太陽電池產品製造廠量能(例如茂迪、新日光、太極等)，進行量產化設備製程驗證測試，讓計畫所開發之技術與設備導入產線製程中，使HIT太陽電池產品可實際產出應用
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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