60周年
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專利名稱

真空鍍膜系統
年度 108
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1080221~1261203
專利證號 I651430
摘要 本發明主要是用於電容式電漿增強化學氣相沉積(CCP PECVD)真空腔體中，當進行鍍膜沉積製程時，能在過程中同步回饋製程相關參數，藉由該回饋機制進行製程參數調變，使製程參數穩定性大幅提升，同時即時修正異常製程參數，使製程維持高良率、高穩定性之方法。藉由以一種鑲埋於下電極板(接地端)之電漿離子量的感測裝置，在鍍膜進行中同時反饋於系統控制，再藉由對應數值，調變抽氣閥、氣體流量、腔體壓力、基板溫度、射頻功率密度等製程參數，以獲得一高良率且穩定的製程輸出。
特色 據國際半導體設備材料產業協會(SEMI)發表的半導體設備資本支出年中預測報告預估，2016年全球半導體設備產值約412.4億美元。其中台灣銷售金額為12.23億美元，而韓國76.9億美元則是第 2 年排名第二，中國則以 32% 的成長率排名第三，由於平板電腦及智慧手機等行動裝置產品需求強勁，帶動半導體設備採購需求持續增加，預期2017年全球半導體設備產值可望攀高至494億美元，評估2017年的台灣半導體設備市場就佔127.3億美元。所以能將具即時回饋控制之基板薄膜均勻性調變系統之應用於生產線上設備亦能提高整廠的製程良率進而提昇設備產值。
創造效益 本發明之優點在於PECVD電漿製程的鍍膜沉積過程中，藉由預先鑲埋於下電極板(接地端)中的電漿離子感應裝置，來進行製程中所有離子量分佈的感測，進而反饋推算出整體成膜面的電漿場域是否均勻，即時的視需求調變抽氣閥、進氣流量、腔體壓力，乃至功率密度等，此時成膜均勻性已被掌握，一旦成膜均勻性大幅提升至95%以上，成膜後的品質亦會同時受到提升，包含薄膜光電品質(如載子移動率)等，皆會獲得大幅改善。
市場資訊 根本發明所開發之具即時回饋控制之基板薄膜均勻性調變系統尚可應用於半導體產業、面板產業中、太陽能電池產業中，對於TFT-LCD (液晶顯示器) 面板用之低溫多晶矽製程（Low Temperature Poly-silicon, LTPS），非晶矽製程、矽薄膜太陽電池之非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、氧化矽、氮化矽膜製程之鍍製，其應用範圍具有極大延展擴充性。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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