60周年
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專利名稱

矽基異質接面太陽能電池及其製造方法
年度 107
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1070301~1251201
專利證號 I617041
摘要 本發明主要目的在提出一種透明導電膜與其在矽基異質接面太陽能電池的應用。藉由離子電漿蒸鍍，以沈積速度大於1.5nm/s（奈米/秒）沈積氫化鎢氧化銦之透明導電膜，可以得到高品質光電特性且表面粗糙的結構，其光學性質包含光譜在350~1100nm，光穿透率至少大於85%，光吸收率至少小於5%，折射係數須能和玻璃或底基板匹配；電學性質包含載子移動率大於20cm2/s-V，電阻率需小於10-3Ω-cm，才能使降低電池單元間的串連電阻(series resiatance)，以提高電池的輸出短路電流。
特色 近日，歐盟聯合研究中心召開“科技支撐歐洲光伏製造業”研討會，目的為結合超薄矽片金剛石線鋸切片和智慧柵線連接等先進製造工藝，建立一個MW級高效率（22%～25%）HIT晶矽太陽電池與元件製造廠。製造的光伏元件特點將包括高效率、低溫度係數、良好的低光照敏感度、超低衰減率、雙面設計和40年超長預期壽命。
創造效益 本發明提出一種透明導電膜與其在矽基異質接面太陽能電池的應用。藉由離子電漿蒸鍍，以沈積速度大於1.5nm/s（奈米/秒）沈積氫化鎢氧化銦(In2O3:W:H)之透明導電膜，可以得到高品質光電特性且表面粗糙的結構，其光學性質包含光譜在350~1100nm，光穿透率至少大於85%，光吸收率至少小於5%，折射係數須能和玻璃或底基板匹配；電學性質包含載子移動率大於20cm2/s-V，電阻率需小於10-3Ω-cm，才能使降低電池單元間的串連電阻(series resistance)，以提高電池的輸出短路電流。
市場資訊 具有本質薄膜的異質接面(Heterojunction with Intrinsic Thin Film, HIT)矽太陽電池是近十年來最具前瞻的電池。使用n型單晶基版的HIT矽太陽電池並不會有光誘發衰退（LID）以及電勢誘發衰退（PID）的現象，且目前HIT太陽電池效率已突破24%效率。2014～2015年，新興市場開始逐步興起，歐洲、美國、日本、澳大利亞、印度、菲律賓、智利等國對HIT太陽能電池之需求已逐漸加大。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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