60周年
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專利名稱

連續式真空製程系統
年度 107
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1070611~1251206
專利證號 I626702
摘要 本發明主要目的再提出一種矽基異質接面太陽能連續式生產設備及其方法，其中，晶圓翻面機構設置於翻轉腔體內部，及具有：一晶圓翻面機構，具有複數個傳動滾輪，及載片機構，可於真空環境將晶圓進行翻面及傳輸，藉由上述結構，將晶圓傳輸到單台製程腔體中可鍍製i/p/i/n等多重材料薄膜及鍍製透明導電薄膜，此晶圓翻面機構具傳送及翻轉能力的軌道，可不出真空環境下作業達到連續生產的目的，其真空翻轉腔具高真空能力，翻轉同時抽離摻雜元素氣體，降低製程中粉塵污染，提高薄膜品質提升異質接面太陽能元件轉換效率。
特色 國際半導體設備材料產業協會(SEMI)發表的半導體設備資本支出年中預測報告預估，2012年全球半導體設備產值約423.8億美元。其中，韓國支出金額將達114.8億美元，台灣支出金額為92.6億美元，預期2013年全球半導體設備產值可望攀高至467.1億美元。而薄膜製程設備在每年總產值佔約14.3%，評估2012年的台灣市場就佔13.2億美元。所以能將矽基異質接面太陽能之薄膜製程設備國產化亦能減少台灣相關產業的設備成本花費。
創造效益 本專利提出之技術主要是於連續式生產異質接面太陽能電池設備中，可提供一翻轉機構具備晶圓傳送及翻面能力的軌道，並於真空環境中進行晶圓翻面動作，其真空翻轉腔具高真空能力，翻轉同時抽離摻雜元素氣體，降低製程中粉塵污染，亦可在晶圓翻面的過程中保持潔淨，提高薄膜品質提升異質接面太陽能元件轉換效率。
市場資訊 本發明所開發之PECVD設備尚可應用於半導體產業、面板產業中、太陽能電池產業中，對於TFT-LCD (液晶顯示器) 面板用之低溫多晶矽製程（Low Temperature Poly-silicon, LTPS），非晶矽製程、矽薄膜太陽電池之非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、氧化矽、氮化矽膜製程之鍍製，其應用範圍具有極大延展擴充性。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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