60周年
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專利名稱

具角錐結構之矽晶圓及其製造方法
年度 107
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1070221~1251129
專利證號 I615989
摘要 本專利之主要目的在提供一種修補矽晶圓經鹼蝕刻後之金字塔結構的方法，可提升薄膜對矽晶圓的表面披覆性，進而提升鈍化效果與太陽能電池之光電轉換效率。
特色 本專利所提供之熱氧化法技術來降低金字塔尖銳角，可提升製程穩定度且無化學污染之問題。
創造效益 本專利技術之主要是可降低金字塔結構之尖銳度，可提升薄膜對矽晶圓的表面披覆性，進而提升鈍化效果與太陽能電池之光電轉換效率。
市場資訊 目前尚未有此金字塔修飾技術用於矽基太陽能電池元件與產品上。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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