60周年
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專利名稱

異質接面結合本質矽薄膜太陽電池的製程方法
年度 106
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1060221~1241125
專利證號 I572053
摘要 本專利之主要目的在提供矽異質接面太陽能電池與其製程方法。單晶矽N型半導體製作出金字塔型結構，但由於金字塔底部出現深V凹槽，導致後續P-i-N薄膜沈積的步階覆蓋不佳。因此本發明提出使用原子層沉積(ALD)，特別是電漿輔助式原子層沉積(PE-ALD)法來沈積i-P/i-N薄膜，以提高i-P/i-N薄膜沈積的步階覆蓋，減少了電子電洞產生復合現象，提高其開路電壓及短路電流密度。
特色 由於使用高效率23%的異質接面矽基太陽能電池，使用時預期模組效率可達21%，因此每一平方公尺內可以產生220W。以國內每人需要1KW的用電規模而言，5口之家需要5KW，亦即需要22.72土地面積，平方公尺的若使用原先18%的矽晶模組，需要27.77平方公尺的面積，大幅降低土地的使用，亦可以提高人們的使用意願。
創造效益 在製作非晶質/結晶矽異質接面太陽電池第一步驟中，單晶矽N型半導體製作出金字塔型結構。但由於金字塔底部出現深V凹槽，導致後續i-P/i-N薄膜沈積的步階覆蓋不佳。原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)技術近年來突破性發展，被廣泛的運用到各種電子工業運用。藉由依序注入適當之前驅物(precursors)，並於兩前驅物之間注入惰性氣體加以區隔，ALD技術可成長高品質且高均勻性之薄膜。
市場資訊 目前由於國際能源短缺，而世界各國一直持續研發各種可行之替代能源，而其中又以太陽能發電之太陽電池最受到矚目，太陽電池係具有使用方便、取之不盡、用之不竭、無廢棄物、無污染、無轉動部份、無噪音、可阻隔輻射熱、使用壽命長、尺寸可隨意變化、並與建築物作結合及普及化等優點，故利用太陽電池作為能源之取得。
在20世紀70年代，由美國貝爾實驗室首先研製出的矽太陽能電池逐步發展起來。隨著太陽電池之發展，如今太陽能電池有多種類型，典型的有矽太陽能電池、薄膜太陽能電池與其製程方法、化合物太陽能電池與染料敏化太陽能電池等。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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