60周年
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專利名稱

用於濺鍍設備之監測方法及監測系統
年度 107
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1070311~1231203
專利證號 I617687
摘要 本專利主要提供一種應用於濺鍍設備之自動化監測預先濺鍍(pre-Sputter)時間方法，屬於鍍膜前製程改善，在濺鍍之前，由於金屬靶材存在有表面氧化的問題，為了獲得較佳的鍍膜品質或避免arcing ，會先做pre-sputter動作。目前得知pre-sputter時間預估，大多是採經驗法則，本發明藉由監測在DC-Power電力訊號來測量預先濺鍍時間(pre-sputter)，除了提供更準確預估預先時間參考值，以達到節能及消除靶材浪費之功效，同時也可掌握DC-Power電力系統是否有異常現象。
特色 本發明藉由分析DC Power電壓訊號，來測量最佳濺鍍機pre-sputter時間屬於PVD產業及設備監診，在PVD產業市場上依據 IT IS 產業分析資料在2011，PVD市場規模有9億美元，在而設備監診應用領域，舉凡訊號處理、自動診斷、人工智慧、及巨量資料處理等技術的發展，都是國內各廠家未來努力的方向，而這些技術的發展，可提供企業在決策上做有價值的判斷。
創造效益 當製程常需要調整、設備出現異常、產品有缺陷時，藉由設備監診技術，可提高問題可視化、成為改善決策重要工具。在直流式真空濺鍍系統（DC Sputter System），穩定電力供應會影響鍍膜品質。在濺鍍之前，由於金屬靶材存在有表面氧化的問題，就算沒有氧化，也會因儲存或拿取及安裝等動作而受到污染，為了獲得較佳的鍍膜品質或避免arcing ，會先做pre-sputter動作。目前得知pre-sputter時間預估，大多是採經驗法則(大約30 分鐘左右)，本發明希望藉由監測DC Power來得到最佳pre-sputter時間，以達到節能及消除靶材浪費之目的。
市場資訊 本發明可應用於PVD產業，依據SEMICON預估2012年全球半導體設備營收將達382億美元，預估未來半導體設備資本支出成長將放緩，但可望在2014年恢復動能，出現兩位數成長。報告指出，台灣與韓國半導體設備資本支出將達96億美元，分居全球一、二名，我國半導體產業發展快速，已創下高達兆元的產值，各大廠對製程設備之投資更是不遺餘力，在目前與下世代半導體生產設備的四個製程模組中，薄膜沈積與蝕刻兩個模組有過半機台需要使用PVD電漿製程，以一座標準八吋或十二吋晶圓廠而言，約有一百台設備是使用電漿製程。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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