60周年
:::
專利名稱

保護膜與其鍍膜方法
年度 105
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1050401~1231125
專利證號 I527920
摘要 本專利目的是開發低電阻率鍍膜處理技術，本專利主要是藉AgMgAl、AgCuAl與CuNiAl的非晶質鍍層結構及其製程方法以降低電阻率。非晶質的薄膜經過快速熱處理後形成樹枝狀晶，其結構能使鍍膜電阻率降低，因此本專利藉由製程調整，控制鍍膜結晶結構，使鍍膜中具有樹枝狀結晶結構。藉由控制樹枝狀結晶結構，可降低鍍膜電阻率。
特色 因應國際原物料價格上漲，使得連接器產業獲利減少，且傳統連接器低電阻鍍膜多為濕式製程，近來環保意識高漲，其廢液回收成本也隨之提高，此低電阻鍍膜材料的開發，採用乾式製程，且使用成本較低的材料，可為廠商節省成本。本專利可以降低鍍膜電阻率，降低成本，符合環保要求。
創造效益 目前低電阻薄膜多用於連接器表面，而目前所使用的材料多為Au，此專利所開發的低電阻薄膜，是利用Ag基材料，可以降低成本，且其鍍膜具樹枝狀結晶結構，可以大幅降鍍膜低電阻率達到商用水準。
市場資訊 目前有瑞典廠商Impact Coatings發展以銀為基底的AgInSn銀系合金鍍膜，其表面採取鹵化物作為保護，開發取代金鍍膜，此公司已在歐、美、大陸取得專利，因此發展低電阻鍍膜具有市場價值。
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
<