60周年
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專利名稱

石墨烯特性調整方法
年度 105
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1050221~1221028
專利證號 I523077
摘要 一種以高能電子束改變石墨烯特性的方法，包含一薄膜成長步驟，可由任意方式(包含化學氣相沉積、物理氣相沉積、機械式剝除法…等)將石墨烯固定於任意基材(包含:矽、玻璃、塑膠…等)之上；及一改質步驟，以高能電子束照射置於真空環境中的石墨烯薄膜，相對於習知離子佈值製程而言，石墨烯晶體結構的損傷程度幾乎可忽略，電子束製程具有局部改質、對材料結構無損傷及快速等優點，對於未來石墨烯高速電晶體有其產業化之價值。
特色 可將石墨烯之半導體特性改變，不須離子佈值設備，利用電子顯微鏡之電子束可改變石墨烯的特性，可應用於高速石墨烯電晶體。
創造效益 要調整材料之半導體特性(包含n-type, p-type, I-V特性)的方法，目前有熱擴散與離子佈值兩種方法；
(一)熱擴散法是利用熱，讓所需滲雜的原子在薄膜/基材中擴散(擴散是指物質從高濃度往低濃度移動的現象)。
(二)離子植入法是利用施加高電壓，使各離子化的元素產生碰撞，進而產生物理性的取代。這時候值入過程中由於離子的經過，使矽結晶遭受破壞，所以之後必須經過退火處理進行修復。
市場資訊
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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