60周年
:::
專利名稱

深度磁場產生裝置
年度 105
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1050711~1210913
專利證號 I541045
摘要 一種磁場產生裝置包含一磁場限制元件以及一線圈單元。磁場限制元件之材質包含一低導磁且低導電材料。線圈單元設置於磁場限制元件內。磁場產生裝置可產生一深度磁場。
特色 本專利主要是設計一個具有導磁與聚磁功能及產生深度電磁場之探頭，可以將交變磁場集中包覆並將磁場深入到人體較深層的部位。透過此可產生深度電磁場探頭的設計將可應用在腫瘤電磁針燒 灼治療，可將電磁針因為受到磁場的作用下，針上感磁部分因磁滯效應而產生渦電流，並產生高溫，進而將腫瘤細胞燒灼而萎縮，可以使大幅減輕入病患接受傳統腫瘤化療產生副作用所帶來的痛苦。
創造效益 在本發明之磁場產生裝置中，線圈單元係設置於磁場限制元件內，且磁場限制元件之材質包含一低導磁且低導電材料。藉此，線圈單元充電所產生的磁場能被磁場限制元件所限制，而達到集中效果，並且能提供深度磁場。由於集中之深度磁場可達到人體較深層的部位，當應用於電磁針時，可燒灼較深層的腫瘤，進而提升治療效果，且所需元件非常簡單，因而能降低治療費用。
市場資訊
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
<