60周年
:::
專利名稱

等離子體系統的回饋控制方法及其裝置
年度 105
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華人民共和國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1050518~1211227
專利證號 ZL201210585488.X
摘要 本專利之主要目的在提供一種電漿控制回饋系統及方法，特別是關於一種可及時回饋於射頻訊號產生器、加熱器及質流控制器來控制電容耦合腔體之電漿，其具有可節省製程時間及成本之功效。
特色 專利所揭示之標的物除了可應用於薄膜太陽能電池鍍膜製程外，亦可應用於具龐大商業市場的液晶顯示器之低溫多晶矽鍍膜製程。且電漿技術亦是半導體製程中一個關鍵的中心技術，舉凡各種會應用到電漿之技術，都可利用本發明所接露之技術來達到最佳化製程控制之目的。
創造效益 1. 可於製程線上即時回饋控制，避免浪費基板及製作時間。
2. 藉由複數個控制訊號，來控制射頻訊號產生器、質流控制器或加熱板控制器，可同時掌握影響電漿之關鍵因素。
市場資訊
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
<