60周年
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專利名稱

薄膜沉積裝置及其用以製備薄膜之方法
年度 102
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1021021~1200630
專利證號 I412624
摘要 一種薄膜沉積裝置包含：一腔體，係具有連通一容室之一進氣口；一電漿生成單元，係具有一容置於該容室內之電極組件，該電極組件係電性連接一供電元件，該電極組件係包含一正極板及一負極板，該正極板及負極板之間係具有一電漿生成區；及一加熱組件，係容置於該容室內且用以加熱由該進氣口通入之成膜氣體。利用該薄膜沉積裝置，於該腔體內通入一電漿生成氣體，使其於該電漿生成區產生解離而形成電漿態；於該腔體內通入一成膜氣體，使其通過該加熱組件及電漿生成單元，而於該電漿生成區形成解離態之成膜氣體，以沉積於該基板形成薄膜。
特色 在半導體及薄膜太陽能電池產業的鍍膜技術改良上，一般著重於改善現有PECVD的鍍膜速率。為加快鍍膜速率，除了提高輸入射頻電漿源之頻率，也可採用本發明所揭示之形式，期可大量降低薄膜製程之成本。
創造效益 本發明之混合式化學氣相沈積裝置，其利用置入電極產生電漿，藉以製備矽薄膜太陽能電池所需之矽質薄膜，其具有提升薄膜鍍膜速率之優點，可降低製作大面積之矽薄膜太陽能電池之成本。
市場資訊
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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