60周年
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專利名稱

物理氣相沉積裝置及方法
年度 102
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1020211~1190527
專利證號 I385265
摘要 本發明係利用物理氣相沉積裝置直接沉積出具圖案化沉積物而不需經歷一般黃光/蝕刻製程，可大幅簡化製造程序以及生產機具的投資。
其原理為將噴濺出之靶材分子先游離化之後，使其成為帶電離子，此帶電離子受基板偏壓吸引而成為具方向性之離子流而向基板加速移動。在基板之前設置一圖案化之導體格網並施加與該離子所帶電荷相同之電位，如此由於電荷相斥作用將使離子通過該格網時產生偏折而在抵達基板時於特定區域形成密集分佈，此分佈係由圖案化導體格網所定義。
對於大面積且對於圖案化鍍膜精度要求不高之應用而言，實為本發明最佳切入點。
特色 降低設備投資成本；
可替代其他技術；
提高產品附加價值；
開拓新的應用市場。
創造效益 本發明將使圖案化薄膜製程成本降低，而使製造商更有意願將此技術導入其產品以增加產品競爭力。本發明適用材料種類廣泛，包含導體與介電材質，可應用領域茲列舉如下:
1.陣列狀金屬點製作以控制金屬誘發複晶矽之晶粒尺寸分佈，以達成更佳thin-film transistor元件電性控制；
2.圖案化金屬/介電材料鍍膜，可應用於光反射層或光擴散層應用；
3.大面積微光學透鏡陣列製作；
4.二微量子點製作…..等等
市場資訊
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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