60周年
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專利名稱

化學氣相沉積製程
年度 102
狀態 獲證維護中
獲證編號
類別 發明
申請國家 中華民國
專利權人 金屬中心
專利起訖 1020901~1181230
專利證號 I407578
摘要 本專利之主要目的在提供一種具有高沈積速率之奈米晶矽太陽能電池，該奈米晶矽薄膜可襄埋於P-i-N之任一層結構中，抑或著是P-i-N結構中皆襄埋奈米晶矽薄膜。由於奈晶矽薄膜之蝕刻機制（Etching model），使其在沈積奈米晶矽太陽能電池時，因加入大量氫氣體使得薄膜在反應過程中蝕刻機制（etching rate）增加，進而造成沉積率下降。因此，有必要提出一種具有高沈積速率之奈米晶矽太陽能電池。
特色 近??，太陽能電池的產業發展迅速，以矽半導體為主的高效?太陽能電池已能夠?產和應用，其價格也?到早期的十分之一。然而，高效?太陽能電池在材?與使用上的成本過高，其全面的普及性具有很大的問題。隨著太陽能電池之市場需求，薄膜型太陽能電池因應而生，其厚度約在0.1~10μm，不像傳統型高效?太陽能電池之厚度約在100~300μm。因此，薄膜型太陽能電池不需使用大量、價格昂貴的半導體材料，可省下許多材料的成本。
創造效益 本專利之優點在於提出一種高鍍率下之奈米晶矽太陽能電池。，在單接面P-i-N接面結構中襄埋奈米晶矽薄膜，用以製作出多能隙之矽基薄膜太陽能電池。此外，奈米晶矽薄膜可有效的改善非晶矽薄膜之光劣化效應。因非晶矽材?含有大?的缺陷以及未鍵結的矽懸鍵（Dangling bond，DB），使其受限於光電特性?佳而影響其在工業上之應用。該不佳之光電特性是由於該非晶矽薄膜的亞穩態屬性使其效率因照光時間的增加而快速衰減，即稱之為光劣化（Staebler-wronski，SW）效應。該光劣化效應使非晶矽薄膜型太陽能電池於第一次照光時，其效率便減少整體效率之10至20%之間
市場資訊
聯絡人 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
Tel: 07-3513121轉2366, Fax: 07-3534062
E-mail ：judylo@mail.mirdc.org.tw
更新日期：106-02-15　/　維護單位：系統管理者
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