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主題名稱

碳化矽長晶與設備發展趨勢研析
作者 陳靜樺
出版單位
張貼日期 2023-11-15
資料類別 產業評析
內容摘要 全球化合物半導體需求強勁，2023~2025年之年複合成長率約達36%，其中8吋市場之年複合成長率達52%，皆加速了相關製程技術與設備的發展與布局。而碳化矽長晶約占整體碳化矽晶圓製造成本之50%，且基板品質將直接影響後續元件之效能，顯見長晶製程對於碳化矽產業鏈之重要性。為使我國能持續保有在半導體產業之領導地位，並搶占化合物半導體新興商機，建議我國業者可加速碳化矽長晶關鍵設備開發。除了主流的物理氣相傳輸法(PVT)外，為因應基板尺寸擴大、降低成本之需求，建議國內業者或可評估布局新興的液相磊晶法(LPE)設備開發。
相關連結 https://mii.mirdc.org.tw/Report/Detail/1722?Category=12
更新日期：112-11-15　/　維護單位：系統管理者
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