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主題名稱

淺析原子層氣相化學反應沉積(ALD)技術在先進封裝產業之應用與發展趨勢
作者 丁肇誠、抱樸科技股份有限公司 李裕安、國立陽明交通大學 Joy Chang、 陳柏州、郭浩中
出版單位
張貼日期 2021-06-16
資料類別 產業評析
內容摘要 原子級氣相沉積技術(Atomic Layer Deposition, ALD)目前已被使用製作細小線路或高深寬比溝槽的鍍膜設備，其優勢為幾近無針孔和缺陷、雜質少的鍍膜品質、可精準控制薄膜厚度、極高的階梯覆蓋率與絕佳的膜厚均勻性。然而受限於坊間的設備型貌，ALD僅限用於晶圓鍍膜。而筆者團隊設計之方形腔體，除可置入晶圓外，亦可放入玻璃基板與IC承載盤，進而增加ALD的應用領域。本文將介紹藉由ALD製作保護層，應用於光電產業或先進封裝元件上，可有效地提升元件的保護效果與可靠度。
相關連結 https://mii.mirdc.org.tw/Report/Detail/1439?Category=12
更新日期：110-06-16　/　維護單位：系統管理者
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