成果類別 科專研發
產出年度 108
計畫名稱 高品質鈍化薄膜製程驗證
技術類別 其他
搭配推廣專利
技術現況敘述 本發明之穿隧鈍化層薄膜係可增加矽基太陽能電池之開路電壓及減少漏電流,藉由穿隧鈍化層可篩選載子種類且與矽基板間形成低介面缺陷密度,從而導入較高載子壽命週期,實現高效太陽能電池,並同時揭示生產此穿隧鈍化層之製程方法。
技術規格 穿隧氧化矽薄膜: (1)透過頻率40.68MHz之氧電漿處理表面 (2)基板溫度為150℃ (3)薄膜厚度為2奈米 (4)製作完穿隧氧化矽薄膜後,隨之進行摻雜型結晶矽薄膜製程,係透過PCVD設備鍍膜所形成。 (5)雜型結晶矽薄膜製程基板溫度為300℃ (6)雜型結晶矽薄膜製程厚度為50奈米
可移轉技術名稱(中) 太陽能電池之穿隧鈍化層製作方法
可移轉技術名稱(英) method of fabricating tunnel oxide passivation layer for silicon solar cell
可應用範圍 本技術之優點在於此穿隧鈍化層製程技術是利用乾式氧電漿製程製作而成,不僅可解決矽基太陽能電池晶圓介面缺陷之問題,提昇太陽能電池之轉換效率。並且此製程技術之薄膜均勻度高,適合於大量生產製程中,達到產業之效益。
市場(產品/服務)潛力預估 本技術所開發之穿隧鈍化層製程方法可改善現行主流太陽能產品PERC元件,可望提升太陽能電池之轉換效率達23%以上,增加產品競爭力與售價。
所需之主要軟硬體設備 電漿增強式化學氣相沉積設備
總聯絡窗口 金屬工業研究發展中心 羅政副組長 
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更新日期:108-03-18 / 維護單位:系統管理者
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